В процессе выращивания кристаллов графитовые электроды остаются в вакуумной среде аргона при температуре от 1420 до 1650 градусов Цельсия. Внутренние поры обычного графита еще содержат остатки водяного пара, летучих органических веществ, а также следы примесей бора и фосфора. Эти вещества постоянно выделяют газы, которые загрязняют расплав кремния и вызывают дрейф удельного сопротивления кремниевых пластин, резкое увеличение плотности кристаллических дислокаций и существенное снижение производительности батарей/чипов. Этот продукт проходит предварительную-вакуумную дегазацию при длительной-градусной температуре 1600 градусов, полностью удаляющую внутренние свободные летучие компоненты. Общий уровень выбросов газов составляет всего лишь порядка 10⁻¹⁰ Па・м³/с. Содержание примесей бора и фосфора меньше или равно 0,01 ppm. Он подходит для 12-дюймовых фотоэлектрических монокристаллических кремний, 8-дюймовых полупроводниковых полупроводниковых зон для очистки кремния и линий выращивания кристаллов подложек из карбида кремния. Это основной расходный материал для теплового поля при производстве фотоэлектрических и полупроводниковых кремниевых материалов.
Фотоэлектрический CZ вытягивает монокристаллический кремний для массового производства (в основном закупается зарубежными фотоэлектрическими заводами)
Подходит для монокристаллических печей с вытяжным механизмом размером 6–12 дюймов (6–12 дюймов) и продолжительностью одного длительного цикла кристаллизации до 120–180 часов. Электроды поддерживают стабильное выделение тепла на протяжении всего процесса без внезапного выделения газа, мешающего конвекции расплава кремния. Применяется процесс пассивации с герметизацией микро-отверстий, при котором крошечные поры на поверхности графита герметизируются однородным и плотным углеродным слоем, предотвращая коррозию, вызванную проникновением паров кремния в атмосфере аргона. Поверхность электрода не имеет припудривания или осыпания частиц углерода, что позволяет избежать чрезмерных примесей углерода в кремниевом материале.
Содержание примесей бора и фосфора строго контролируется, что исключает отклонение диапазона сопротивления кремниевых пластин типа N-/P-типа. Амплитуда колебаний времени жизни неосновных носителей монокристалла за партию контролируется в пределах ±3 мкс, по сравнению с обычными графитовыми электродами выход монокристалла увеличивается на 12–18%. Ошибка однородности удельного сопротивления электрода составляет менее или равна 0,3 мкОм·м, разница температур теплового поля внутри печи стабилизируется на уровне ± 4 градуса, гарантируя, что доля сечения постоянного диаметра кремниевого стержня больше или равна 92%, что значительно снижает потери сырья.
Полупроводниковая зона FZ плавления, применение на уровне кремниевых чипов высокой-чистоты-
Для условий выращивания кремния высокой-чистоты кремния высокой-чистоты (9N - 11N сверх-кремния сверхвысокой чистоты) размером 8-дюймов и меньше этот продукт соответствует стандарту полупроводникового чистого графита SEMI F63. Весь процесс не содержит органических клеев и серосодержащих летучих примесей. Общее содержание металлических переходных примесей Fe/Ni/Cu меньше или равно 0,2 ppm. Низкая характеристика выхлопа позволяет поддерживать стабильную степень вакуума в печи на уровне 10⁻⁷ Па или выше, а количество выбросов летучих веществ ниже, чем у продуктов промышленного стандарта, на 90%. Это полностью исключает такие дефекты, как утечка стружки и недостаточное напряжение пробоя, вызванные микропримесями.
Его можно настроить с использованием полой-электродной конструкции с водяным охлаждением. Во время роста кристаллов температура тела электрода снижается на 300 градусов, что дополнительно подавляет высокотемпературные выбросы и адаптируется к высокочастотному производству непрерывной зонной плавки. Один электрод можно стабильно использовать для более чем 600 печей, удовлетворяя непрерывный производственный спрос заводов по производству полупроводников.
Набор для выращивания кристаллов подложки карбида кремния с карбонизацией SiC (новая область полупроводников третьего-поколения)
Температура роста SiC достигает 2100–2400 градусов. При таких высоких температурах обычный графит склонен к выделению CO и углеводородных газов, которые могут повредить целостность решетки SiC. Этот продукт подвергается двойной обработке: ультра-высокотемпературной графитизации при температуре 2700 градусов и вакуумной дегазации. Общее количество газообразных веществ, выделяющихся при высоких температурах, крайне мало. Он также обладает способностью противостоять ультра-высокотемпературной коррозии кремния-углеродного пара, имеет чрезвычайно низкий коэффициент теплового расширения и не дает трещин или деформации во время циклических циклов нагрева и охлаждения при температуре 2400 градусов.
Электроды можно использовать с вертикальными PVT-печами для выращивания кристаллов SiC не-стандартных размеров и поддерживать сегментные резьбовые уплотнительные соединения. Колебания контактного сопротивления в точках соединения чрезвычайно малы, отсутствуют точки локального перегрева, и можно производить стабильные подложки SiC с низкой -дефектностью-плотностью.
Дифференцированная эксклюзивная технология обработки (полностью отличающаяся от обычных вакуумных графитовых электродов)
1. Выбор сырья: выберите заготовки ультра-мелкозернистого-(D50=5мкм) изотропного графита с исходным содержанием летучих веществ менее или равным 0,03 %, что снижает содержание выхлопных газов из источника;
2. Многоуровневая вакуумная дегазация-: вакуумная изоляция в инертной атмосфере при температуре 1600 градусов в течение 72 часов, слой за слоем удаляющий водяной пар, свободные углеводороды и растворимые примеси в порах;
3. Запечатывание микро-пассивацией: низко-химическое осаждение из паровой фазы тонкого слоя углерода для заполнения поверхностных микро-пор, блокируя каналы выхода внутренних летучих веществ наружу;
4. Точная обработка без стресса-: медленная резка проволоки + поворот зеркала с ЧПУ, без обработки трещин, без пористости поверхности, исключение новых выхлопных каналов после обработки;
5. Не-неразрушающий контроль: каждый электрод выполняет определение содержания гелия в выхлопных газах, полную проверку примесей ICP-MS и определение однородности сопротивления, сопровождаемый отчетом о проверке уровня полупроводников-для экспорта.
Полупроводниковый-класс со сверх-низкими выхлопными характеристиками
Суммарная скорость отсасывания при температуре роста кристаллов 1600 градусов составляет менее 8×10⁻¹⁰ Па·м³/с, выделение углеводородных летучих компонентов менее 0,01 ppm, что на 95 % ниже, чем у обычных вакуумных графитовых электродов, и полностью исключает загазованность расплава кремния.
Чрезвычайно строгий контроль примесей бора и фосфора (основная проблема монокристалла)
Бор Менее или равен 0,01 ppm, Фосфор Менее или равен 0,01 ppm, без влияния легирующих добавок, однородность удельного сопротивления кремниевой пластины улучшается на 40%, что подходит для синхронного производства монокристаллического кремния типа N/P.
Низкий выдох без структуры загрязнения углерода
Запечатывание микро-пор и пассивационная обработка, пористость снижается до уровня ниже 0,12 %, в процессе роста кристаллов не происходит высыпания графитового порошка, прирост примесей углерода в расплаве кремния составляет менее 0,02 частей на миллион, что соответствует стандартам кремния высокой-чистоты для фотоэлектрических/полупроводниковых устройств.
Долгосрочное-стабильное проводящее тепловое поле
Удельное сопротивление при комнатной температуре составляет 4,5–5,2 мкОм·м, равномерная погрешность всего удельного сопротивления электрода – менее или равна 0,3 мкОм·м, непрерывная работа при 1650 градусах в течение 180 часов без дрейфа сопротивления, разность температур теплового поля – не более ± 4 градуса.
Почему выбирают нас?
Специализированная линия по производству монокристаллического кремния с целенаправленным процессом дегазации
2. Комплексная система контроля примесей полупроводникового-класса.
3. Универсальная-возможность индивидуальной настройки для адаптации к распространенным монокристаллическим печам по всему миру.
4. Повышение производительности массового производства при поддержке технической поддержки.
5. Стабильные экспортные поставки и полная экспортная квалификация. У нас всегда есть на складе фотоэлектрические монокристаллические изделия-стандартного размера, а изделия,-изготовленные по индивидуальному заказу, могут быть доставлены в течение 7–12 дней.
Таблица технических параметров продукта
| Нет. | Объект проверки | Кремниевый кристалл с низким выделением газов, стандартный графитовый электрод | Метод обнаружения теста |
|---|---|---|---|
| 1 | Класс сырья | Мелко-3D-изостатический полупроводниковый графит (D50=5мкм) | Лазерный анализатор размера частиц |
| 2 | Фиксированное содержание углерода | Больше или равно 99,9998% | Высокотемпературный-анализатор углерода при горении |
| 3 | Общее содержание золы | Меньше или равно 2 ppm | ICP-MS полное обнаружение элементов |
| 4 | Содержание примеси бора | Меньше или равно 0,01 ppm | Масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой |
| 5 | Содержание примесей фосфора | Меньше или равно 0,01 ppm | ICP-MS Ultra-тест на микроэлементы |
| 6 | Общее количество примесей переходных металлов (Fe, Ni, Cu, Cr) | Меньше или равно 0,2 ppm | ICP-MS многоэлементное-сканирование |
| 7 | Общая скорость дегазации (1600 градусов, вакуум) | ＜8 × 10⁻¹⁰ Па·м³/с | Тестер вакуумной дегазации утечки гелия |
| 8 | Выброс летучих углеводородов | <0,01 ч/млн | Тест термодесорбции ГХ-МС |
| 9 | Сопротивление при комнатной температуре | 4.5 – 5.2 μΩ·m | Четырехточечный-измеритель сопротивления с зондом |
| 10 | Отклонение однородности удельного сопротивления | Меньше или равно 0,3 мкОм·м | Многоточечное-высоко-точное сканирование сопротивления |
| 11 | Объемная плотность | 1,88 – 1,91 г/см³ | Тест Архимеда плотности |
| 12 | Внутренняя пористость | ＜0.12 % | Ртутная интрузивная порометрия |
| 13 | Коэффициент теплового расширения (25–1600 градусов) | 2,6 × 10⁻⁶/градус | Высокотемпературный-дилатометр |
| 14 | Циклы термостойкости (1650 градусов ↔ RT) | Больше или равно 900 циклам без трещин. | Испытание на старение печи с термическим циклом |
| 15 | Непрерывный срок службы (CZ Silicon Pulling) | 500+ партии выращивания кристаллов | Фактическое испытание на старение при работе печи |
| 16 | Диапазон рабочих температур | 1420–2400 градусов (вакуумная атмосфера аргона) | Испытание на высокотемпературную стабильность |
| 17 | Обработка поверхности | Уплотнение микропор и пассивация углеродного покрытия | Профилометр шероховатости поверхности (Ra менее или равно 0,6 мкм) |
| 18 | Пользовательская доступная структура | Сплошной стержень/полый водяной-охлаждаемый/сегментное резьбовое соединение/специальная канавка | Индивидуальный чертеж обработки с ЧПУ |
горячая этикетка : Графитовые электроды с низким выделением газов для выращивания кристаллов кремния, Китай Графитовые электроды с низким выделением газа для выращивания кристаллов кремния производители, поставщики, завод, 2-компонентная графитовая форма, самодельная форма для графита, пластина топливного элемента, графитовая оптическая форма, форма для литья под высоким давлением, Графитовая форма с головкой ножа
